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闪存/EEPROM
单元结构的比较
一般的多层栅极结构
一般而言，EEPROM采用多层栅极型的单元结构。保存数据，通过控制存储单元中的浮动栅(FG)所存储的电荷量来实现。
"潜在存在过擦除问题"
在浮动栅极(FG)不稳定的情况下，引起"过擦除"。
通常，将浮动栅极中的电荷量如果不控制在一定水平之内，则担心在长期保存期间的电荷量耗尽。另外，控制电路变成复杂，从而担心外围电路大规模化。
三洋的分裂栅单元结构
三洋的EEPROM，采用分裂栅单元结构。分裂栅单元结构，为栅极向漏极侧下垂的结构，该下垂之处完成选择栅极的任务。
"具有不发生过擦除问题的特点"
与浮动栅中的电位状态无关，它为如果栅极未被选择，则单元电流(Ir)不流动之结构。
1个单元(分裂栅单元) = 1个晶体管 +分裂栅单元 之结构
可靠性比较
一般的单元结构
由于存在过擦除问题，因此在擦除数据侧的电势位存在上限。
三洋的单元结构
因为没有过擦除问题，因此可以足够高地设定擦除数据侧的电势位。由此，能够充分确保擦除数据和程序数据之电位差，针对保存数据的边框空白，与其它公司相比也能够予以进一步扩大。
三洋单元的特色
- 不发生过擦除(保存数据特性高)
- 擦除极其快速
- 在低电流时效率好且可进行编程
- 采用厚沟道氧化膜，实现高可靠性
| WL | SL | BL | WL | SL | BL | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 擦除 | 0V | Vee | Open | Vee | 0V | 0V |
| 擦除时间 | 数秒 | 25ms | ||||
| 编程 | Vpp | 0V | Vcc | 2V | Vpp | 1V |
| 编程时间 | 10µs | 10µs | ||||
| 编程电流 | mA量级 | 2 to 3µA | ||||
闪存产品是经美国SST公司(Silicon Storage Technology,Inc)授权许可，由三洋半导体株式会社制造和销售的产品。