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闪存/EEPROM

询问

作为SPI NOR型闪存，实现常规比的5倍之写入速度
作为SPI NOR型闪存

三洋半导体株式会社，此次，通过搭载独自的高速写入模式技术，开发了8Mbit(LE25FW806/808)和16Mbit(LE25FW1606/1608)的SPI串行闪存，其作为NOR型串行接口的闪存，实现世界最快速※1 的页写入。

本产品不改变过去的编程方法，使以更短的时间重写数据成为可能。由此，在硬盘驱动、光盘驱动、打印机、AV产品和各种模块设备等固件存储用途、小容量数据存储用途等使用方面，使重写用户数据的高速化，软件写入阶段的合理化，以及产品程序升级的短时间化成为可能。

注1: 截至2007年6月5日

主要特色

  1. 页写入时间：标准0.3ms，最大0.5ms
  2. 扇区擦除时间: 标准100ms，最大400ms；芯片擦除时间：标准0.5s，最大5s
  3. 数据读取速度:
    400Mbps SCK 50MHz时（LE25FW808, LE25FW1608）
    50Mbps SCK 50MHz时（LE25FW806, LE25FW1606）

概要

目前，在诸多的电子设备方面，正在使用闪存，作为供程序和数据存储用。但是在方便性方面出现了课题，例如，如果使用过去本公司的16Mbit串行闪存时，由于将数据全部写入，最多需要20.5秒，因此贴装于基板之前，必须利用群编程器，并且须要许多个同时写入数据等。

本产品，三洋半导体通过搭载独自的高速写入模式技术，在16Mbit全面写入方面实现了4.1秒(max)这一世界最快速写入。该结果，使测试时的单个写入在实际应用方面成为可能，另外，在基板贴装之后和产品出货之后，即使在需要更新固件时，也使在不让客户感到压力的短时间内之数据更新成为可能。

另外，关于LE25FW808、LE25FW1608，也搭载着高速读取技术，于2005年用本公司的4Mbit产品，第一次付诸实用※2，实现与16bit并行产品同等的读取速度。通过实现与传统的NOR型串行闪存所不可能达到的并行闪存一样的数据传输速度，使缩短产品的初始启动时间成为可能。同时，减少高速运行所必须的DRAM和SRAM，也为降低整机成本做出贡献。

注2: 2005年12月16日发表

特色

  1. 页写入时间：最大0.5ms
    相对本公司的过去产品，以最大值计算为5倍的页写入速度。
    16M全部写入最大时间为4.1秒。
  2. 扇区擦除时间：最大400ms；芯片擦除时间：最大5s
    16M全面擦除最大时间为5秒。
  3. 数据读取速度：400Mbps (向SCK端子施加的时钟为50MHz的情况)
    (LE25FW808, LE25FW1608)
    通过由指令输入的模式设定，实现相对于标准的SPI串行闪存，达8倍速的读取速度。
  4. 接口: SPI串行
    支持标准的SPI串行读取和写入接口。
  5. 扇区大小：4K字节(小扇区)和64K字节(扇区) 支持两个扇区
    支持普通的64K字节扇区的同时，也以4K字节的小扇区为标准予以配备。

规格

  1. 电源电压范围: 2.7V～3.6V
  2. 最大运行时钟: 50MHz[SPI总线]
  3. 工作温度范围: 0°C～70°C (-40°C～85°C 支持选项)
  4. 接口: SPI串行
  5. 页写入时间：标准0.3ms、最大0.5ms
  6. 扇区擦除时间：标准100ms、最大400ms；芯片擦除时间：标准0.5s、最大5s
  7. 数据读取速度:
    400Mbps SCK 50MHz时（LE25FW808、LE25FW1608）
    50Mbps SCK 50MHz时（LE25FW806、LE25FW1606）
  8. 扇区大小：4K字节(小扇区)和64K字节(扇区)，支持两个扇区
款型名称 封装名称 封装尺寸(单位：㎜)
长×宽×高
LE25FW806MA MFP8 6.4×6.35×1.7
LE25FW806TT
LE25FW808TT		 MSOP8 6.3×5.6×0.85
LE25FW1606FN
LE25FW1608FN		 VSON8 6.0×5.0×0.85

闪存产品是经美国SST公司(Silicon Storage Technology, Inc.)授权许可，由三洋半导体株式会社制造和销售的产品。

所登载的内容，包括价格和规格等全部是新闻发布时的内容。有内容与最新信息不一致的情况，请予以谅解。

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