闪存/EEPROM
话题
小型封装EEPROM(2K～128K)的开发
充实小型封装EEPROM的阵容，此次，开发了包括采用晶片级封装(WLP)的超小型EEPROM在内的2K～128K产品。
SPI NOR型串行闪存的开发
通过搭载独自的高速写入模式技术，开发了8Mbit(LE25FW806/808)和16Mbit(LE25FW1606/1608)的SPI串行闪存，作为NOR型串行接口的闪存，实现世界最快速的页写入。
高速NOR型8个引脚闪存的开发
开发了8个引脚类型的NOR型闪存LE25FW408A，实现虽然是与串行闪存一样的封装，却是与并行闪存同等的高速读取速度。
特色
分裂栅(split gate)结构
三洋的闪存，采用不发生过擦除问题之分裂栅结构。
串行FLASH
使用串行接口总线的NOR型闪存
串行EEPROM
正在开发满足客户要求的定制式EEPROM。
闪存
EEPROM
Custom Flash Memory
※闪存产品是经美国SST公司(Silicon Storage Technology,Inc)授权许可，由三洋半导体株式会社制造和销售的产品。